Samsung запускает производство флеш-памяти по технологии 20нм

Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов NAND памяти, подходящих нормам 20 нм класса. Новенькая память создана для применения в карточках эталона Secure Digital (SD), а также во встраиваемых заключениях на основе флеш-памяти. Сообщается, что чипы NAND памяти с многоуровневыми ячейками (MLC), владеющие густотой в 32 Гбит и производимые по передовой 20 нм технологии, дозволят прирастить емкость издаваемых Samsung карт памяти для мобильных телефонов, а также классных IT товаров и высокопроизводительных карт памяти. Крайние приспосабливаются, к образцу, в зеркальных фотокамерах. Понятно, что память MLC NAND от Samsung, подходящая нормам 20 нм класса, владеет на 50 процентов большей производительностью, чем подобные вывода 30 нм класса. К образцу, быстродействие SD карты емкостью 8 Гб, сделанной на основе 20 нм памяти, на 30 процентов выше, чем у продукта на основанию 30 нм памяти. Новейшие SD карты способны обеспечить скорость чтения и записи принесенных в 20 и 10 Мб/с сообразно, что приносит им вероятность претендовать на рейтинг Class 10. 1-ые эталоны эких карт теснее отгружаются заказчикам, а общее создание начнется до баста 2010 года.

Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов NAND памяти, подходящих нормам 20 нм класса. Новенькая память создана для употребления в карточках эталона Secure Digital (SD), а также во встраиваемых выводах на основанию флеш-памяти. Сообщается, что чипы NAND памяти с многоуровневыми ячейками (MLC), владеющие частотой в 32 Гбит и производимые по передовой 20 нм технологии, дозволят прирастить емкость издаваемых Samsung карт памяти для мобильных телефонов, а также классных IT товаров и высокопроизводительных карт памяти. Ругательные приспосабливаются, к образцу, в зеркальных фотокамерах. Не тайна, что память MLC NAND от Samsung, подходящая нормам 20 нм класса, владеет на 50 процентов большей производительностью, чем подобные заключения 30 нм класса. К образцу, быстродействие SD карты емкостью 8 Гб, сделанной на основанию 20 нм памяти, на 30 процентов выше, чем у продукта на основанию 30 нм памяти. Новейшие SD карты способны обеспечить скорость чтения и записи предоставленных в 20 и 10 Мб/с сообразно, что доставляет им вероятность претендовать на рейтинг Class 10. Главные эталоны таковых карт теснее отгружаются заказчикам, а общее создание начнется до баста 2010 года.