Компания Samsung анонсировала новейший высокопроизводительный модуль флеш-памяти на 128 ГБ, тот или другой планирует употреблять в близких мобильных установках. Как отмечает ресурс Samsung Tomorrow, основанные на 3-битных NAND eMMC 5.0 чипах новинки не заслуживает путать с модулями, представленными Samsung в феврале, тот или иной нынче применяются во флагманских телефонах Galaxy S6 и S6 edge. Представленные разработки выделяются тем, что нацелены на телефоны и планшеты среднего класса.
Компания Samsung анонсировала новейший высокопроизводительный модуль флеш-памяти на 128 ГБ, тот или иной планирует применять в родных мобильных установках. Как отмечает ресурс Samsung Tomorrow, основанные на 3-битных NAND eMMC 5.0 чипах новинки не заслуживает путать с модулями, представленными Samsung в феврале, тот или другой сейчас применяются во флагманских телефонах Galaxy S6 и S6 edge. Изображенные разработки различаются тем, что нацелены на телефоны и планшеты среднего класса.
При поочередном чтении предоставленных новость дает скорость 260 МБ/с. Модуль может обрабатывать до 6000 операций ввода-заключения в секунду при случайном чтении и до 5000 операций ввода-заключения при случайной записи. По заверениям Samsung, этого довольно для обработки видео высочайшей четкости и обеспечения продвинутых функций многозадачности.
Южнокорейская компания пока не уточняет, иногда в продажу поступят основные портативные агрегата с ее новенькими чипами.
