Samsung представила первую в мире 10-нм FinFET технологию полупроводников

Samsung представила первую в мире 10-нм FinFET технологию полупроводников

Пока наикрупнейшие изготовители чипсетов для мобильных агрегатов, как, к примеру, Qualcomm, продолжают надеяться на 20-нм техпроцесс для творенья собственных лучшых микросхем, компания Samsung вульгарна далее и разработала 14-нм чипсет, сделанный по технологии FinFET. По слухам, эти микросхемы дебютируют в Samsung Galaxy S6 и S6 Edge. Не считая того, похожая разработка производства полупроводников будет употреблена при творении новейших чипов серии A от Apple. Невзирая на то, что 14-нм техпроцесс еще пока лишь начинает свойское развитие, компании Samsung показалось этого не достаточно и на данной нам недельке южнокорейский гигант представил основную в мире технологию производства полупроводников по 10-нм техпроцессу с употреблением сборки FinFET.

Пока наикрупнейшие изготовители чипсетов для мобильных агрегатов, как, к примеру, Qualcomm, продолжают надеяться на 20-нм техпроцесс для творенья родных лучшых микросхем, компания Samsung вульгарна далее и разработала 14-нм чипсет, сделанный по технологии FinFET. По слухам, эти микросхемы дебютируют в Samsung Galaxy S6 и S6 Edge. Не считая того, похожая разработка производства полупроводников будет употреблена при разработке новейших чипов серии A от Apple. Невзирая на то, что 14-нм техпроцесс еще пока лишь начинает свойское развитие, компании Samsung показалось этого не достаточно и на данной недельке южнокорейский гигант представил основную в мире технологию производства полупроводников по 10-нм техпроцессу с применением сборки FinFET.

Разработка водилась продемонстрирована на интернациональной конференции твердотельной электроники ISSCC, тот или иной проходит с 22 по 26 февраля в Сан-Франциско. Президент отделения полупроводниковых технологий компании Samsung Electronics Ким Ки-Нам заявил, что представленная разработка будет огромным шагом в развитии Веба вещей, потому что чипсеты, сделанные по новенькому техпроцессу, будут еще наиболее энергоэффективными и младше по размаху, чем прошлые разработки. Также представитель Samsung поведала о 10-нм процессе производства DRAM-памяти и 3D V-NAND-технологии производства носителей инфы.

Пока не сообщается, иногда новенькая разработка начнет приноравливаться для производства потребительских товаров, но это верно не произойдет до 2016 года. Так что, может быть, наместник Galaxy S6 приобретет процессор, сделанный с применением 10-нм техпроцесса. Samsung мастерит серьезные успехи в области полупроводниковых технологий, и компания на пути к тому, чтоб занять еще наиболее крепкие позиции в качестве дилера аппаратного обеспечения для больших производителей.

Источник:

Похожие записи

Оставить комментарий